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  • 1$21.25

技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tray
  • 部品ステータス:Active
  • 駆動構成:High-Side
  • チャネルタイプ:Single
  • ドライバーの数:1
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
  • 電圧-供給:-
  • 論理電圧-vil、vih:-

 

  • 電流-ピーク出力(ソース、シンク):26mA
  • 入力方式:Non-Inverting
  • ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ):-
  • 立ち上がり/立ち下がり時間(標準):390ns, 1430ns
  • 作動温度:0°C ~ 80°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:Die
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Die

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