- 部品番号1N8026-GA
- ブランドGeneSiC Semiconductor
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
- カテゴリーダイオード-整流器-シングル
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Obsolete
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電圧-DCリバース（vr）（最大）:1200 V
- 現在-平均整流（io）:8A (DC)
- 電圧-順方向（vf）（最大）@ if:1.6 V @ 2.5 A
- 速度:No Recovery Time > 500mA (Io)
- 逆回復時間（trr）:0 ns
- 電流-逆リーク@vr:10 µA @ 1200 V
- 静電容量@ vr、f:237pF @ 1V, 1MHz
- 取付タイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-257-3
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-257
- 作動温度-ジャンクション:-55°C ~ 250°C
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