技術的な詳細

• シリーズ:TrenchMOS™
• パッケージ:Tape & Box (TB)
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:300mA (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4.5V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:5Ohm @ 500mA, 10V
• vgs（th）（max）@ id:2V @ 1mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
• vgs（最大）:±30V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:40 pF @ 10 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:830mW (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-92-3
• パッケージ/ケース:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)