技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bag
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:75 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:100A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:6mOhm @ 50A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:-

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:220 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:12200 pF @ 20 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:1.65W (Ta), 90W (Tc)
• 作動温度:150°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:SMP
• パッケージ/ケース:TO-220-3, Short Tab