- 部品番号A2G35S200-01SR3
- ブランドNXP Semiconductors
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- カテゴリートランジスタ-fets、mosfets-rf
在庫あり: 182
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価格:
- 1$264.51
- 250$123.43584
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- トランジスタタイプ:GaN HEMT
- 周波数:3.4GHz ~ 3.6GHz
- 利得:16.1dB
- 電圧-テスト:48 V
- 現在の定格（アンペア）:-
- 雑音指数:-
- 現在-テスト:291 mA
- 電力出力:180W
- 電圧-定格:125 V
- パッケージ/ケース:NI-400S-2S
- サプライヤーデバイスパッケージ:NI-400S-2S
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