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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • 駆動構成:High-Side
  • チャネルタイプ:Synchronous
  • ドライバーの数:2
  • ゲートタイプ:N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 電圧-供給:4.15V ~ 13.2V
  • 論理電圧-vil、vih:0.8V, 2.8V

 

  • 電流-ピーク出力(ソース、シンク):-
  • 入力方式:Inverting, Non-Inverting
  • ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ):-
  • 立ち上がり/立ち下がり時間(標準):-
  • 作動温度:0°C ~ 85°C (TA)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC

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