技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1700 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:5A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:20V
• rds on（max）@ id、vgs:1.25Ohm @ 2.5A, 20V
• vgs（th）（max）@ id:3.2V @ 500µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:21 nC @ 20 V
• vgs（最大）:+25V, -10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:249 pF @ 1000 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:65W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
• パッケージ/ケース:TO-247-3