技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:700 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:65A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:20V
• rds on（max）@ id、vgs:70mOhm @ 32.5A, 20V
• vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 1mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:125 nC @ 20 V
• vgs（最大）:+25V, -10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:-
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:220W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:D3Pak
• パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB