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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1200 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:80A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):20V
  • rds on(max)@ id、vgs:55mOhm @ 40A, 20V
  • vgs(th)(max)@ id:2.5V @ 1mA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:235 nC @ 20 V
  • vgs(最大):+25V, -10V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:-
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):625W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:D3Pak
  • パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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