技術的な詳細

• シリーズ:CoolMOS™
• パッケージ:Tray
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:900 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:59A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
• rds on（max）@ id、vgs:60mOhm @ 52A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:3.5V @ 6mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:540 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:13600 pF @ 100 V
• fet機能:Super Junction
• 消費電力（最大）:462W (Tc)
• 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Chassis Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:SP1
• パッケージ/ケース:SP1