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技術的な詳細

  • シリーズ:POWER MOS 7®
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:4 N-Channel (H-Bridge)
  • fet機能:Standard
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1000V (1kV)
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:18A
  • rds on(max)@ id、vgs:540mOhm @ 9A, 10V

 

  • vgs(th)(max)@ id:5V @ 2.5mA
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:154nC @ 10V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:4350pF @ 25V
  • パワー-最大:357W
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:SP4
  • サプライヤーデバイスパッケージ:SP4

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