- 部品番号APTM100H80FT1G
- ブランドMicrosemi
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 3,459
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:4 N-Channel (H-Bridge)
- fet機能:Standard
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):1000V (1kV)
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:11A
- rds on(max)@ id、vgs:960mOhm @ 9A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:5V @ 1mA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:150nC @ 10V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:3876pF @ 25V
- パワー-最大:208W
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SP1
- サプライヤーデバイスパッケージ:SP1
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