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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:4 N-Channel (Three Level Inverter)
  • fet機能:Silicon Carbide (SiC)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1200V (1.2kV)
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:48A (Tc)
  • rds on(max)@ id、vgs:49mOhm @ 40A, 20V

 

  • vgs(th)(max)@ id:2.2V @ 2mA (Typ)
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:98nC @ 20V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:1900pF @ 1000V
  • パワー-最大:250W
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:SP3
  • サプライヤーデバイスパッケージ:SP3

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