- 部品番号BSC039N06NSATMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$1.84
- 5,000$0.89894
- 10,000$0.88008
技術的な詳細
- シリーズ:OptiMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):60 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:19A (Ta), 100A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):6V, 10V
- rds on(max)@ id、vgs:3.9mOhm @ 50A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:2.8V @ 36µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:27 nC @ 10 V
- vgs(最大):±20V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:2000 pF @ 30 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):2.5W (Ta), 69W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TDSON-8-6
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
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