- 部品番号BSC105N10LSFGATMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$3.42
- 5,000$1.65033
技術的な詳細
- シリーズ:OptiMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Not For New Designs
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:100 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:11.4A (Ta), 90A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4.5V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:10.5mOhm @ 50A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2.4V @ 110µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:53 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:3900 pF @ 50 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:156W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TDSON-8-1
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
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