- 部品番号BSG0810NDIATMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
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価格:
- 1$2.66
- 5,000$1.17409
技術的な詳細
- シリーズ:OptiMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- fet機能:Logic Level Gate, 4.5V Drive
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):25V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:19A, 39A
- rds on(max)@ id、vgs:3mOhm @ 20A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:2V @ 250µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:8.4nC @ 4.5V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:1040pF @ 12V
- パワー-最大:2.5W
- 作動温度:-55°C ~ 155°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TISON-8
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