技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:180A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
• rds on（max）@ id、vgs:-
• vgs（th）（max）@ id:5.6V @ 50mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
• vgs（最大）:+22V, -4V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:9000 pF @ 10 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:880W (Tc)
• 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Chassis Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:Module
• パッケージ/ケース:Module