- 部品番号BSM180D12P2C101
- ブランドROHM Semiconductor
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 9
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価格:
- 1$439.36
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- fet機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200V (1.2kV)
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:204A (Tc)
- rds on（max）@ id、vgs:-
- vgs（th）（max）@ id:4V @ 35.2mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:23000pF @ 10V
- パワー-最大:1130W
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:-
- パッケージ/ケース:Module
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
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