技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
• fet機能:Silicon Carbide (SiC)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200V (1.2kV)
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:400A (Tc)
• rds on（max）@ id、vgs:-

• vgs（th）（max）@ id:4V @ 85mA
• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:38000pF @ 10V
• パワー-最大:2450W (Tc)
• 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:-
• パッケージ/ケース:Module
• サプライヤーデバイスパッケージ:Module