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  • 1$1245

技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet機能:Silicon Carbide (SiC)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1200V (1.2kV)
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:400A (Tc)
  • rds on(max)@ id、vgs:-

 

  • vgs(th)(max)@ id:5.6V @ 109.2mA
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:-
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:17000pF @ 10V
  • パワー-最大:1570W (Tc)
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Module
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Module

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