- 部品番号BSO615NGHUMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 2,184
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技術的な詳細
- シリーズ:SIPMOS®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:2.6A
- rds on（max）@ id、vgs:150mOhm @ 2.6A, 4.5V
- vgs（th）（max）@ id:2V @ 20µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:20nC @ 10V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:380pF @ 25V
- パワー-最大:2W
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-DSO-8
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