技術的な詳細

• シリーズ:SIPMOS®
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:660mA (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:0V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:1.8Ohm @ 660mA, 10V
• vgs（th）（max）@ id:1V @ 400µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:14 nC @ 5 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:430 pF @ 25 V
• fet機能:Depletion Mode
• 消費電力（最大）:1.8W (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:PG-SOT223-4
• パッケージ/ケース:TO-261-4, TO-261AA