- 部品番号BSP295H6327XTSA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$0.93
- 1,000$0.45847
- 2,000$0.41968
- 5,000$0.39382
- 10,000$0.38088
- 25,000$0.37383
技術的な詳細
- シリーズ:SIPMOS®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):60 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:1.8A (Ta)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):4.5V, 10V
- rds on(max)@ id、vgs:300mOhm @ 1.8A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:1.8V @ 400µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:17 nC @ 10 V
- vgs(最大):±20V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:368 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):1.8W (Ta)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-SOT223-4
- パッケージ/ケース:TO-261-4, TO-261AA
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