- 部品番号BSZ0910NDXTMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明DIFFERENTIATED MOSFETS
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 3,420
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価格:
- 1$1.35
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技術的な詳細
- シリーズ:OptiMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate, 4.5V Drive
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:9.5A (Ta), 25A (Tc)
- rds on（max）@ id、vgs:9.5mOhm @ 9A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:5.6nC @ 4.5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:800pF @ 15V
- パワー-最大:1.9W (Ta), 31W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-WISON-8
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