- 部品番号BSZ110N06NS3GATMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$0.88
- 5,000$0.33059
- 10,000$0.31835
- 25,000$0.31167
技術的な詳細
- シリーズ:OptiMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:20A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:11mOhm @ 20A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4V @ 23µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:33 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:2700 pF @ 30 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:2.1W (Ta), 50W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TSDSON-8
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
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