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技術的な詳細

  • シリーズ:Z-FET™
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Not For New Designs
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1200 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:90A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):20V
  • rds on(max)@ id、vgs:34mOhm @ 50A, 20V
  • vgs(th)(max)@ id:2.4V @ 10mA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:161 nC @ 20 V
  • vgs(最大):+25V, -10V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:2788 pF @ 1000 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):463W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
  • パッケージ/ケース:TO-247-3

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