技術的な詳細

• シリーズ:C3M™
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:7.2A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:15V
• rds on（max）@ id、vgs:455mOhm @ 3.6A, 15V
• vgs（th）（max）@ id:3.6V @ 1mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:13 nC @ 15 V
• vgs（最大）:+15V, -4V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:345 pF @ 1000 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:40.8W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
• パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA