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技術的な詳細

  • シリーズ:Z-FET™
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet機能:Silicon Carbide (SiC)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1200V (1.2kV)
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:423A (Tc)
  • rds on(max)@ id、vgs:5.7mOhm @ 300A, 20V

 

  • vgs(th)(max)@ id:2.3V @ 15mA (Typ)
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:1025nC @ 20V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:11700pF @ 600V
  • パワー-最大:1660W
  • 作動温度:150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Module, Screw Terminals
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Module

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