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技術的な詳細

  • シリーズ:GaN
  • パッケージ:Tray
  • 部品ステータス:Active
  • トランジスタタイプ:HEMT
  • 周波数:8GHz
  • 利得:16.5dB
  • 電圧-テスト:28 V

 

  • 現在の定格(アンペア):-
  • 雑音指数:-
  • 現在-テスト:200 mA
  • 電力出力:30W
  • 電圧-定格:84 V
  • パッケージ/ケース:Die
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Die

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