技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:3.6A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:2.5V, 4.5V
• rds on（max）@ id、vgs:78mOhm @ 1.8A, 2.5V
• vgs（th）（max）@ id:1.2V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:13 nC @ 4.5 V
• vgs（最大）:12V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:590 pF @ 10 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:-
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:Die
• パッケージ/ケース:Die