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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:P-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):12 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:6A (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):-
  • rds on(max)@ id、vgs:34mOhm @ 3A, 4.5V
  • vgs(th)(max)@ id:1V @ 1mA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:22 nC @ 4.5 V
  • vgs(最大):±8V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:1900 pF @ 6 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):1.6W (Ta)
  • 作動温度:150°C
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:6-CPH
  • パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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