- 部品番号CSD16407Q5C
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明OXIDE SEMICONDUCTOR FET
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 9,703
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価格:
- 1$0.8
- 2,500$0.8
技術的な詳細
- シリーズ:NexFET™
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:25 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:31A (Ta), 100A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4.5V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:2.4mOhm @ 25A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:1.9V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:18 nC @ 4.5 V
- vgs（最大）:+16V, -12V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:2.66 pF @ 12.5 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:3.1W (Ta)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-VSON-CLIP (5x6)
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
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