技術的な詳細

• シリーズ:NexFET™
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:29A (Ta), 100A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:3V, 8V
• rds on（max）@ id、vgs:3.4mOhm @ 30A, 8V
• vgs（th）（max）@ id:1.6V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:18.3 nC @ 4.5 V
• vgs（最大）:+10V, -8V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:2.6 pF @ 15 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:3.1W (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:8-VSONP (5x6)
• パッケージ/ケース:8-PowerTDFN