技術的な詳細

• シリーズ:NexFET™
• パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:P-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:8 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:7.4A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:1.5V, 4.5V
• rds on（max）@ id、vgs:9.9mOhm @ 1A, 4.5V
• vgs（th）（max）@ id:1.05V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:8.5 nC @ 4.5 V
• vgs（最大）:-6V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:1390 pF @ 4 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:600mW (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:4-PICOSTAR
• パッケージ/ケース:4-XFLGA