- 部品番号CSD23202W10T
- ブランドTexas Instruments
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$0.48
- 250$0.29313
- 500$0.24887
- 750$0.2157
- 1,250$0.19357
技術的な詳細
- シリーズ:NexFET™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:P-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):12 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:2.2A (Ta)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):1.5V, 4.5V
- rds on(max)@ id、vgs:53mOhm @ 500mA, 4.5V
- vgs(th)(max)@ id:900mV @ 250µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:3.8 nC @ 4.5 V
- vgs(最大):-6V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:512 pF @ 6 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):1W (Ta)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:4-DSBGA (1x1)
- パッケージ/ケース:4-UFBGA, DSBGA
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