技術的な詳細

• シリーズ:NexFET™
• パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:P-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:20 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:4A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:1.8V, 4.5V
• rds on（max）@ id、vgs:26mOhm @ 2A, 4.5V
• vgs（th）（max）@ id:1.05V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:7.5 nC @ 4.5 V
• vgs（最大）:-6V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:1010 pF @ 10 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:500mW (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:9-DSBGA
• パッケージ/ケース:9-UFBGA, DSBGA