- 部品番号DF11MR12W1M1B11BOMA1
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明IGBT MODULE
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 83
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価格:
- 1$120
技術的な詳細
- シリーズ:*
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200V (1.2kV)
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:50A
- rds on（max）@ id、vgs:23mOhm @ 50A, 15V
- vgs（th）（max）@ id:5.5V @ 20mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:125nC @ 5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:3950pF @ 800V
- パワー-最大:20mW
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
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