技術的な詳細

• シリーズ:E-Series, Automotive
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Not For New Designs
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:900 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:11.5A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:15V
• rds on（max）@ id、vgs:360mOhm @ 7.5A, 15V
• vgs（th）（max）@ id:3.5V @ 1.2mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:9.5 nC @ 15 V
• vgs（最大）:+18V, -8V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:150 pF @ 600 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:54W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
• パッケージ/ケース:TO-247-3