技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:150mA (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:1.5V, 4V
• rds on（max）@ id、vgs:3.7Ohm @ 80mA, 4V
• vgs（th）（max）@ id:-

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:1.58 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:7 pF @ 10 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:150mW (Ta)
• 作動温度:150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:4-ECSP1008
• パッケージ/ケース:4-UFDFN