- 部品番号EFC6602R-TR
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 3,274
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
- fet機能:Logic Level Gate, 2.5V Drive
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:12V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:18A (Ta)
- rds on（max）@ id、vgs:5.9mOhm @ 3A, 4.5V
- vgs（th）（max）@ id:1.3V @ 1mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:55nC @ 4.5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:-
- パワー-最大:2W (Ta)
- 作動温度:150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-XFBGA, WLCSP
- サプライヤーデバイスパッケージ:6-WLCSP (1.81x2.7)
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