技術的な詳細

• シリーズ:eGaN®
• パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:48A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:5V
• rds on（max）@ id、vgs:8mOhm @ 20A, 5V
• vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 7mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:11 nC @ 5 V
• vgs（最大）:+6V, -4V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:1140 pF @ 100 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:-
• 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:Die
• パッケージ/ケース:Die