技術的な詳細

• シリーズ:eGaN®
• パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:100 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:1.7A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:5V
• rds on（max）@ id、vgs:25mOhm @ 3A, 5V
• vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 1.5mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:2.1 nC @ 5 V
• vgs（最大）:+6V, -4V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:258 pF @ 50 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:-
• 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:Die
• パッケージ/ケース:Die