- 部品番号EPC2101
- ブランドEPC
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 714
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価格:
- 1$7.03
- 500$4.95734
- 1,000$4.4776
技術的な詳細
- シリーズ:eGaN®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- fet機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:9.5A, 38A
- rds on（max）@ id、vgs:11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
- vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
- パワー-最大:-
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
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