- 部品番号EPC2105
- ブランドEPC
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 554
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価格:
- 1$7.14
- 500$5.03484
- 1,000$4.5476
技術的な詳細
- シリーズ:eGaN®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- fet機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:80V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:9.5A, 38A
- rds on（max）@ id、vgs:14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
- vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
- パワー-最大:-
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
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