- 部品番号EPC2107
- ブランドEPC
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 1,407
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価格:
- 1$2.01
- 2,500$0.89932
技術的な詳細
- シリーズ:eGaN®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
- fet機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:100V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:1.7A, 500mA
- rds on（max）@ id、vgs:320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
- vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
- パワー-最大:-
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:9-VFBGA
- サプライヤーデバイスパッケージ:9-BGA (1.35x1.35)
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