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技術的な詳細

  • シリーズ:eGaN®
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Source
  • fet機能:GaNFET (Gallium Nitride)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):120V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:3.4A
  • rds on(max)@ id、vgs:60mOhm @ 4A, 5V

 

  • vgs(th)(max)@ id:2.5V @ 700µA
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:0.8nC @ 5V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:80pF @ 60V
  • パワー-最大:-
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:-
  • パッケージ/ケース:Die
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Die

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