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技術的な詳細

  • シリーズ:eGaN®
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):80 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:90A (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):5V
  • rds on(max)@ id、vgs:2.2mOhm @ 29A, 5V
  • vgs(th)(max)@ id:2.5V @ 13mA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:19 nC @ 5 V
  • vgs(最大):+6V, -4V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:1940 pF @ 40 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):-
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Die
  • パッケージ/ケース:Die

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