- 部品番号EPC8009
- ブランドEPC
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GANFET N-CH 65V 2.7A DIE
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 12,111
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価格:
- 1$3.15
- 2,500$2.6198
技術的な詳細
- シリーズ:eGaN®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:65 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:2.7A (Ta)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:5V
- rds on（max）@ id、vgs:130mOhm @ 500mA, 5V
- vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:0.45 nC @ 5 V
- vgs（最大）:+6V, -4V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:52 pF @ 32.5 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:-
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- パッケージ/ケース:Die
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