- 部品番号FCD600N65S3R0
- ブランドSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$0.51975
- 2,500$0.51975
技術的な詳細
- シリーズ:SuperFET® III
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:6A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:600mOhm @ 3A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4.5V @ 600µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:11 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:465 pF @ 400 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:54W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:D-PAK (TO-252)
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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