- 部品番号FDB8870
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 61,588
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価格:
- 1$1.03
- 800$1.02861
技術的な詳細
- シリーズ:PowerTrench®
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:23A (Ta), 160A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4.5V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:3.9mOhm @ 35A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:132 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:5.2 pF @ 15 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:160W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AB
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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